...中有指数项： T G s V V 因 1 log G D V I S 定义次临界摆幅(subthreshold swing)： S越大，表示I D 随V G 的变化越小，on- off特性不明显；S越小，表示I D 随V G 的变化越大，on-off特性显著。
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换句话说，当通道长 度小于10nm时，密度梯度模型中的次临界摆幅(Subthreshold Swing, SS)会剧烈上升并拥有极高的关闭状态下之漏电流 (Off-State Leakage Current)，此...
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亚阈摆幅(subthreshold swing) 讨论S :（希望S 越小越好） t ox N A V BS 对亚阈摆幅的影响 a 短沟道效应对亚阈值特性的影响 2 / 1 2 2 ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ = ≡...
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