成分：掺杂锡之铟氧化物(Tin-doped Indium Oxide) 年代：1934年被美国铟矿公司最早合成出来 世界最大ITO薄膜制造国：日本 选用率：在TCO材料中，75%应用在平面显示器 主要应用：...
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tin-doped indium oxide film 掺锡氧化铟薄膜
tin-doped indium oxide films 掺锡氧化铟薄膜
tin doped indium oxide nanometer 纳米氧化铟锡
indium-doped tin oxide 铟掺杂氧化锡
Zinc oxide thin films were prepared by pulsed laser deposition (PLD) on glass substrates coated with tin-doped indium oxide (ITO) thin films in this paper.
本文采用射频辅助脉冲激光沉积(PLD)系统，在镀有透明导电膜氧化锡铟(ito)的玻璃衬底上制备了氧化锌薄膜。
Tin doped indium oxide (ITO) films were deposited on glass substrates by reactive magnetron sputtering using a metallic alloy target (in Sn, 90 10).
采用铟锡合金靶(铟锡，90 - 10)，通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ito薄膜，并在大气环境下高温退火处理。
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