...磁性金属层和绝缘层交替形成的多层膜结构中磁性隧道效应的深入研究，由此获得的巨大的隧穿磁电阻（tunneling magnetoresistance, TMR）效应已在基础研究和信息 存储技术领域取得重要进展．基于TMR效应的磁性随机存储器已经商业化，虽然人们...
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在GMR效应研究热潮的推动下，由铁磁金属和绝缘介质组成的隧道结和颗粒膜体 系中的隧道磁电阻（Tunneling Magnetoresistance,TMR）效应引起了人们的广泛兴趣。
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利用纳米磁学中显著的巨磁电阻效应(giant magnetoresistance,gmr)和很大的隧道磁电阻(tunneling magnetoresistance, tmr)现象研制的读出磁头将磁盘记录密度提高30多倍,瑞士苏黎世的研究人员制备了cu、co交替填充的纳米丝,...
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tunneling magnetoresistance tmr 隧道磁电阻
the tunneling magnetoresistance 隧穿磁电阻效应
Due to the Dresselhaus spin-orbit coupling effect,the tunneling magnetoresistance inversion occurs when the energy of a localized state in the barrier matches the Fermi energy E_f of the ferromagnetic electrodes.
在考虑了Dresselhaus自旋-轨道耦合相互作用的情况下,我们可以清楚的看到隧穿磁电阻的倒置发生在势垒中局域态的能级和铁磁电极中的费米能级E_f相匹配的位置。
参考来源 - 双隧道结中极化率和隧穿磁电阻的研究Fourly, based on Monte Carlo simulations and resistor network model, the tunneling magnetoresistance (TMR) for the square anisotropic magnetic nanoparticle arrays has been studied.
4.最后,基于蒙特卡罗模拟和网格电阻模型,研究了二维各向异性纳米颗粒点阵的隧道磁电阻效应。
参考来源 - 纳米磁性材料磁光和磁电阻特性的数值计算·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
Tunneling magnetoresistance (TMR) effect of MTJ samples has been successfully studied.
研究MTJ样品的隧道结磁电阻(TMR)效应。
Tunneling magnetoresistance (TMR) discovered in magnetic tunneling junction (MTJ) has high sensitivity and adjustable junction resistance, so it has potential to be applied in new MRAM devices.
磁性隧道结结构中发现的隧道磁电阻效应（TMR）灵敏度高、结电阻容易调整，在开发新型MRAM方面极具应用潜力。
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