重掺硅
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heavily B-doped Si substrate 重掺硼硅衬底
heavily-doped si
重掺杂硅
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Because the quantitative analysis of oxygen can't be done by general equipment, it is still lack of systematically investigation of precipitates and induced defects in heavily doped Cz-si.
但由于重掺硅中氧浓度定量测试受到方法限制,重掺硅单晶氧沉淀及其诱生缺陷至今未得到全面而深入地研究。
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