量子局限效应(Quantum confinement effect)：随 著量子效应的产生，当材料粒径变小时，电子与电 洞的距离也随之变小而产生量子局限效应，其能间 隙将逐渐变大，造成非连续性...
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...opy 带 示意 空穴阱 电子阱 Si Si Ge Si 背景说明 量子限制效应 量子限制效应（QCE，Quantum Confinement Effect）,是指固体 材料结构的尺度缩小到一定值，比如纳米量级时，能态结构发生变化 开始表现出量子特性，比如形...
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2 1．3硅基发光的机理 1．3．1量子限域效应（Quantum Confinement Effect，QCE）模型 1990年由L．T．C锄h锄【3】为了解释多孔硅的室温可见光致发光机理时提出了量 子限域效应模...
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quantum confinement effect qce 量子限制效应
Nanometer Quantum Confinement Effect 纳米量子效应
quantum confinement Stark effect 量子限制Stark效应
Silicon nanocrystals (Si NCs) hold great promise for the development of photovoltaics owing to their remarkable properties enabled by quantum confinement effect and multi-exciton generation effect.
硅纳米晶体由于量子限域效应和多激子效应等特性吸引了研究者的广泛兴趣。
参考来源 - 硅纳米晶体的合成及其在太阳电池中的应用·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
This experimental finding is in good agreement with the result of calculation of electronic structure. The evidence strongly supports the model of quantum confinement effect.
这一发现恰与理论计算结果一致，从实验上支持了多孔硅的量子限域模型。
Due to quantum confinement effect, band gap of semiconductor nanocrystals (NCs) is dependent on the particle size.
由于量子限域效应，半导体纳米晶的能带宽随粒子大小而改变。
Most of theoretical researches studied the quantum confinement effect on the luminescence of porous Si and Si nanocrystallites.
大部分理论计算研究的是量子限制对多孔硅和纳米硅晶发光的效应。
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