...日三国发表的“电现象”相关文献分别约为2000、9000、14000 篇，其中涉及“半导体器件制造（Semiconductor device fabrication）”或“蚀刻 （Etching）”两个主题的约为100、2400、2900 篇，中国的文献产出均不到美、日 两国的 1/20。
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The invention discloses a process for preparing a well of a semiconductor device, which relates to the fabrication technology of a former semiconductor.
本发明公开了一种半导体器件阱的制造方法，涉及半导体前道的制造工艺。
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