应变硅 （Strained silicon）：英特尔在新制程中采用了其第二代高性能应变硅。应变硅可提供更高的驱动电流与更快的晶体管的速度，但制造成本却只会有2％的提升...
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台积电的FinFET在这条走廊上还使用了应变硅晶（strained silicon）的技术，在外表薄薄一层的硅结晶中加入了3-5族原素的杂质一同结晶，由于3-5族晶格较大，所以会对靠近表层（很不巧也就是形成通道...
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此外，处理器采用的新型增强型应变硅技术（Strained Silicon）也为降低漏电流贡献了不小的力量。理论上讲如果能迫使硅原子的间距加大，就可减小电子通行所受到的阻碍，也就相当于减小了电阻。
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同时，这也是Intel第一款采用张力硅（strained silicon）技术的移动芯片。在张力硅中，由于原子在晶格中的间距更大，因此当电子通过晶格时受到的阻抗会更低。
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Dual-Stress Strained Silicon 双应力应变硅
strained silicon technology 应变硅技术
Fourth-generation Strained Silicon 第四代应变硅技术
Enhanced Strained Silicon 增强型应变硅技术
Strained silicon SOI 应变硅SOI
Strained silicon MOS 应变硅MOS
strained silicon technique 应变硅技术
以上来源于: WordNet
The technology will be based on a planar process with enhanced high-K metal gate (HKMG), novel strained silicon, and low-resistance copper ultra-low-K interconnects.
该技术将基于一个具有增强的高- k金属闸（HKMG平面工艺），新型应变硅，低电阻铜超低K互连。
Strained silicon is a fundamental component of all recent microprocessors. The reason for its success is that local strain-induced deformation in the crystal lattice improves processor performance.
“变形”硅是所有最新的处理器的基本组成部分，原因是：晶格里应变诱发的形变提升了处理器的性能。
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