2.3.5 表面钝化(Surface Passivation)的考量 表面钝化的处理一般的是先长一层氧化层，然后在沉积一层抗反 射层，以降低在 Si-SiO 2 介面的表面复合速度。
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因此，欲得到良好性能的IR元件，亟需有一高品质 表面保护 （ Surface Passivation ）层来保护。采用气相沉积法（Chemical Vapor Deposition, CVD）在HgCdTe基板上成长SiO2膜。
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surface passivation technology 表面钝化工艺
GaAs surface passivation GaAs表面钝化
device surface passivation 表面钝化
surface passivation technologies 表面钝化工艺
Utilization of thin wafer increases the request for light absorption and surface passivation.
在硅片变薄的同时,对光吸收效率和表面钝化的要求也增加了。
参考来源 - 晶体硅太阳电池表面陷光结构的研究Because of addition of alloy element Cr, the base structure is fined, the pearlite phase is stabilized, the property of the surface passivation film of the material is improved.
由于加入了合金元素Cr，细化了基体组织，稳定了珠光体相，改善了材料的表面钝化膜性能。
参考来源 - 固碱锅材料的改进·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The technology of surface passivation and morphology controlling of porous silicon (PS) exhibits high scientific values for both fundamental and application research.
多孔硅表面钝化和表面形貌的控制技术具有重要的基础和应用研究价值。
Activation: the metal surface passivation state disappear role.
活化：使金属表面钝化状态消失的作用。
Our results demonstrated that the C-Dots were toxic and the surface passivation with PEG reduced the toxicity effectively.
实验证实碳点存在一定的毒性，并且PEG钝化后碳点毒性降低。
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