...磁性金属层和绝缘层交替形成的多层膜结构中磁性隧道效应的深入研究，由此获得的巨大的隧穿磁电阻（tunneling magnetoresistance, TMR）效应已在基础研究和信息 存储技术领域取得重要进展．基于TMR效应的磁性随机存储器已经商业化，虽然人们...
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在GMR效应研究热潮的推动下，由铁磁金属和绝缘介质组成的隧道结和颗粒膜体 系中的隧道磁电阻（Tunneling Magnetoresistance,TMR）效应引起了人们的广泛兴趣。
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利用纳米磁学中显著的巨磁电阻效应(giant magnetoresistance,gmr)和很大的隧道磁电阻(tunneling magnetoresistance, tmr)现象研制的读出磁头将磁盘记录密度提高30多倍,瑞士苏黎世的研究人员制备了cu、co交替填充的纳米丝,...
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tunneling magnetoresistance tmr 隧道磁电阻
the tunneling magnetoresistance 隧穿磁电阻效应
Tunneling magnetoresistance (TMR) effect of MTJ samples has been successfully studied.
研究MTJ样品的隧道结磁电阻(TMR)效应。
Tunneling magnetoresistance (TMR) discovered in magnetic tunneling junction (MTJ) has high sensitivity and adjustable junction resistance, so it has potential to be applied in new MRAM devices.
磁性隧道结结构中发现的隧道磁电阻效应（TMR）灵敏度高、结电阻容易调整，在开发新型MRAM方面极具应用潜力。
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