技术知识 基板，InGaN/GaN LED常采用Si基板。键合机的重要性能指标是温度、压力的均匀性。 （5）激光剥离技术（Laser Lift Off, LLO） 近几年来，蓝宝石GaN LED的光效有了很大的提升，但由于蓝宝石GaN结构和蓝宝石导热的局限性,
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We also optimize the parameters of lift-off process,and lower the threshold energy density to quick laser lift off process.
通过理论计算优化激光剥离的参数,利用衬底加热的方式实现降低阈值密度快速的激光剥离。
参考来源 - GaN LED器件外延膜的激光剥离的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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